1. T. Park, S. Choi, D. H. Lee, J. R. Yoo, B. C. Lee, J. Y. Kim, C. G. Lee, K. K. Chi, S. H. Hong, S. J. Hynn, Y. G. Shin, J. N. Han, I. S. Park, U. I. Chung, J. T. Moon, E. Yoon, and J. H. Lee , in
Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers
, p. 135 (2003).
2. FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm
3. H. Kawasaki, K. Okano, A. Kaneko, A. Yagishita, T. Izumida, T. Kanemura, K. Kasai, T. Ishida, T. Sasaki, Y. Takeyama, N. Aoki, N. Ohtsuka, K. Suguro, K. Eguchi, Y. Tsunashima, S. Inaba, K. Ishimaru, and H. Ishiuchi , in
Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers
, p. 86 (2006).
4. M. Yoshida, J. Kahng, C. Lee, S. M. Jang, H. Sung, K. Kim, H.-J. Kim, K.-H. Jung, W. Yang, D. Park, and B.-I. Ryu , in
Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers
, p. 86, (2006).
5. W. J. Tsai, T. F. Ou, H. L. Kao, E. K. Lai, Y. Y. Liao, C. C. Yeh, T. Wang, J. Ku, and C.-Y. Lu , in
Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers
, p. 52 (2006).