Progress in SiC-4H Epitaxy with Horizontal Hot Wall Reactors
Author:
Publisher
The Electrochemical Society
Subject
Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference25 articles.
1. www.cree.com/led-chips-and-materials/materials.
2. www.iiviwbg.com/products.html.
3. www.sicrystal.de/content/media/pdf/specification.pdf.
4. Improved morphology for epitaxial growth on 4° off-axis 4H-SiC substrates
5. Large-Area Homoepitaxial Growth of Low-Doped Thick Epilayers for Power Devices with VBR > 4 kV
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