1. Nanoionics-based resistive switching memories
2. Baek I. G. Lee M. S. Seo S. Lee M. J. Seo D. H. Suh D.-S. Park J. C. Park S. O. Kim H. S. Yoo I. K. Chung U.-I. Moon J. T. , in IEDM tech. Dig., 2004, pp. 587.
3. Excellent Selector Characteristics of Nanoscale $ \hbox{VO}_{2}$ for High-Density Bipolar ReRAM Applications
4. Gopalakrishnan K. Shenoy R. S. Rettner C. T. Virwani K. Bethune D. S. Shelby R. M. Burr G. W. Kellock A. King R. S. Nguyen K. Bowers A. N. Jurich M. Jackson B. Friz A. M. Topuria T. Rice P. M. Kurdi B. N. , in VLSI symp. Tech Dig., Jun. 2010, pp. 205.
5. Kau D. Tang S. Karpov I. V. Dodge R. Klehn B. Kalb J. A. Strand J. Diaz A. Leung N. Wu J. Lee S. Langtry T. Chang K. Papagianni C. Lee J. Hirst J. Erra S. Flores E. Righos N. Castro H. Spadini Gianpaolo , in IEDM tech. Dig., 2009, pp. 617.