1. Packan P. Akbar S. Armstrong M. Bergstrom D. Brazier M. Deshpande H. Dev K. Ding G. Ghani T. Golonzka O. Han W. He J. Heussner R. James R. Jopling J. Kenyon C. Lee S.-H. Liu M. Lodha S. Mattis B. Murthy A. Neiberg L. Neirynck J. Pae S. Parker C. Pipes L. Sebastian J. Seiple J. Sell B. Sharma A. Sivakumar S. Song B. Amour A. St. Tone K. Troeger T. Weber C. Zhang K. Luo Y. Natarajan S. , in Proceeding of Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig., 659 (2009).
2. Ragnarsson L.-Å. Li Z. Tseng1 J. Schram T. Rohr E. Cho M. J. Kauerauf T. Conard T. Okuno Y. Parvais B. Absil P. Biesemans S. Hoffmann T. Y. , in Proceeding of Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig., 663 (2009).
3. Diao J. Leung G. Qian J. Cui S. Iyer A. Lee C. Chandrasekaran B. Osterheld T. Karuppiah L. , in Proceeding of IEEE Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, 247 (2010).
4. Steigerwald J. M. , in Proceeding of Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig., 61 (2008).
5. Full CMP integration of CVD TiN damascene sub-0.1-μm metal gate devices for ULSI applications