Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si<sub>1 – x</sub>Ge<sub>x</sub>-Reference-Cited by-同舟云学术

Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si_{1 – x}Ge_x

Published:2020-06-03 Issue:11-12 Volume:14 Page:35-43
ISSN:1992-7223
Container-title:Российские нанотехнологии
language:
Short-container-title:Rossijskie nanotehnologii

Author:

Строгова А. С.¹,Ковалевский А. А.¹

Affiliation:

1. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Abstract

Представлены экспериментальные результаты влияния исходного буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на возможность и особенности формирования нанокластеров Si1 – xGex (Si, Ge и SiGe). Предложен механизм формирования кремниевых, германиевых и кремний-германиевых нанокластеров (НК) на буферных слоях аморфного кремния, нитрида кремния и оксидов кремния, диспрозия и иттрия. Показано влияние исходного буферного слоя на поверхности подложек в условиях технологического процесса осаждения пленок наноструктурированного кремния, легированного германием (НСК(Ge)), на конфигурацию, размеры и поверхностную концентрацию НК.

Publisher

NRC Kurchatov Institute

Reference29 articles.

1. Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V. // Fizika tverdogo tela. 2016. T. 58. Vyp. 10. S. 1895.

2. Zamoryanskaya M.V., Ivanova E.V., Sitnikova A.A. // Fizika tverdogo tela. 2011. T. 53. Vyp. 7. S. 1399.

3. Kolesnikova E.V., Zamoryanskaya M.V. // Physica B: Condensed Matter. 2009. V. 404. № 23–24. P. 4653. https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.133

4. Rebohle L., Von Borany J., Frob H., Skorupa W. // Appl. Phys. B. 2000. V. 71. P. 131. https://doi.org/10.1007/PL00006966

5. Fukuda H., Sakuma S., Yamada T. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. P. 3524. https://doi.org/10.1063/1.1399024