III-V Alloys Based On Ga Sb For Optical Communications At 2.0-4.5 µm
Author:
Affiliation:
1. Equipe de Microoptoelectronique de Montpellier (EM2) (France)
Publisher
SPIE
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1. Strained GaInAs quantum well mid-IR emitters;IEE Proceedings - Optoelectronics;1997-10-01
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3. Room-temperature operation of MOCVD-grown GaInAs/InP strained-layer multiquantum well lasers in 1.8 μm range;Electronics Letters;1992-05-07
4. InGaAs/InGaAsp/InP strained-layer quantum well lasers at ~2 μm;Electronics Letters;1992
5. Refractive indices of AlSb and GaSb‐lattice‐matched AlxGa1−xAsySb1−yin the transparent wavelength region;Journal of Applied Physics;1991-03
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