High-radiance LDP source for mask inspection application

Author:

Teramoto Yusuke1,Santos Bárbara1,Mertens Guido1,Kops Ralf1,Kops Margarete1,Küpper Felix2,Niimi Gota3,Yabuta Hironobu3,Nagano Akihisa3,Yokoyama Takuma3,Yoshioka Masaki3,Shirai Takahiro3,Ashizawa Noritaka3,Sato Hiroto3,Nakamura Kiyotada3,Kasama Kunihiko3

Affiliation:

1. Ushio Inc. (Germany)

2. Fraunhofer-Institut für Lasertechnik (Germany)

3. Ushio Inc. (Japan)

Publisher

SPIE

Reference11 articles.

1. ASML’s NXE platform performance;Peeters,2013

2. S. Inoue, S. Wurm, I. Mori, “Closing remarks,” 2013 International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography, Oct. 6-10, Toyama, Japan.

3. Update from the SEMATECH EUV mask infrastructure initiative;Goldstien,2011

4. Enabling EUVL for HVM insertion;Phillips,2013

5. Sub-22nm EUV Imaging on SEMATECH Albany Micro Exposure Tool;Ashworth,2010

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