Importance of mask technical specifications on the lithography error budget
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SPIE
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1. СПЕЦИФИКА ПЕРЕХОДА К ТЕХНОЛОГИИ «28 НМ» В ЧАСТИ РАЗРАБОТКИ ФОТОШАБЛОНОВ ДЛЯ ПРОЕКЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника";Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника;2022
2. Critical dimension control in optical lithography;Microelectronic Engineering;2003-09
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4. Application of CD error budget analysis to ArF scanner performance;SPIE Proceedings;2001-09-14
5. Statistical considerations of the overlay error in laser driven point source x-ray lithography;Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures;2000
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