Study of normally-off AlGaN/GaN HEMTs with recessed p-GaN gate
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SPIE
Reference9 articles.
1. 0.9-A/mm, 2.6-V Flash-Like Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Using Charge Trapping Technique
2. GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
3. Self-Aligned Process for Selectively Etched p-GaN-Gated AlGaN/GaN-on-Si HFETs
4. Electrical Characteristic of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors With Recess Gate Structure
5. Degradation mechanism of fluorine treated enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs under high reverse gate bias[C];Zheng,2020
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