Recent developments on non-polar cubic group III nitrides for optoelectronic applications
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SPIE
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1. Influence of Al x Ga1−x N nucleation layers on MOVPE-grown zincblende GaN epilayers on 3C-SiC/Si(001);Journal of Physics D: Applied Physics;2022-02-02
2. Piezoelectric III-V and II-VI Semiconductors;Encyclopedia of Smart Materials;2022
3. Impact of Carrier Gas on the GaN Layers Properties Grown on (001) and (11n) GaAs Substrates by AP-MOVPE: Comparative Study;Semiconductors;2020-06
4. Role of the TMG flow rate on the GaN layer properties grown by MOVPE on (hkl) GaAs substrates;Materials Science in Semiconductor Processing;2019-10
5. Hybrid functional study of nonlinear elasticity and internal strain in zinc-blende III-V materials;Physical Review Materials;2019-01-10
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