Comparison of cryogenic W band low noise amplifier based on different III-V HEMT foundry process and technologies

Author:

Valenziano L.,Zannoni M.,Mariotti S.,Cremonini A.,De Rosa A.,Banfi S.,Baù A.,Gervasi M.,Limiti E.,Passerini A.,Schiavone F.

Publisher

SPIE

Reference22 articles.

1. Feucht, D. Lion; Milnes, A.G., [Heterojunctions and metal-semiconductor junctions], Academic Press, New York and London ISBN 0-12-498050-3 (1970).

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5. Indium Antimonide Based Technology for RF Applications

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