Indium doping ofn‐type HgCdTe layers grown by organometallic vapor phase epitaxy

Author:

Ghandhi S. K.,Taskar N. R.,Parat K. K.,Bhat I. B.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Cited by 24 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. First-Principles Study of Bi-Doping Effects in Hg0.75Cd0.25Te;Molecules;2021-08-11

2. First-Principles Study of Au-Doping Effects in Hg1−xCdxTe (x = 0.25, 0.5, 0.75);Lecture Notes in Mechanical Engineering;2018

3. First-principles study of gold p-type doping in Hg1-xCdxTe;Acta Physica Sinica;2010

4. Electronic properties of the Au impurity in : First-principles study;Physica B: Condensed Matter;2009-01

5. Molecular beam epitaxy of HgCdTe;Narrow-gap II–VI Compounds for Optoelectronic and Electromagnetic Applications;1997

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