Near band edge Schottky barrier height modulation using high-κ dielectric dipole tuning mechanism

Author:

Coss B. E.,Loh W.-Y.,Wallace R. M.,Kim J.,Majhi P.,Jammy R.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Reference14 articles.

1. Recent advances in Schottky barrier concepts

2. Overview and status of metal S/D Schottky-barrier MOSFET technology

3. Electron tunneling and contact resistance of metal-silicon contact barriers

4. A New Route to Zero-Barrier Metal Source/Drain MOSFETs

5. M. Kobayashi, A. Kinoshita, K. Saraswat, H.S. P. Wong, and Y. Nishi, Fermi-level depinning in metal/Ge Schottky junction and its application to metal source/drain Ge NMOSFET, 2008 Symposium on VLSI Technology (IEEE Society, New York, 2008), p. 54.

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