Effect of low temperature anneals and nonthermal treatments on the properties of gap fill oxides used in SiGe and III-V devices

Author:

Ryan E. ToddORCID,Morin Pierre,Madan Anita,Mehta Sanjay

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference47 articles.

1. S. Wolf , Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 3: The Submicron MOSFET ( Lattice Press, Sunset Beach, 1995) pp. 367–373.

2. Y. Bao , X. Zhou , N. Sang , T. Lei , G. Shi , H. Yi , B. Zhong , J. Zhou , F. Li , Y. Ding , R. Li , H. Zhou , and J. Fang , China Semiconductor Technology International Conference (IEEE, Piscataway, 2015), p. 1.

3. L. Du , H. Zhao , W. Yang , R. Yang , L. Chen , Y. Shaofeng , G. Mao , Q. Wang , Y. Lin , S. Ding , and Z. Chen , China Semiconductor Technology International Conference (IEEE, Piscataway, 2015), p. 4.

4. Dry etching process for bulk finFET manufacturing

5. 20nm gate bulk-finFET SONOS flash

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