1. S. H. Kang , in 2014 Symposium on VLSI Technology (IEEE, 2014), pp. 1–2.
2. D. Shum ,
D. Houssameddine ,
S. T. Woo ,
Y. S. You ,
J. Wong ,
K. W. Wong ,
C. C. Wang ,
K. H. Lee ,
K. Yamane ,
V. B. Naik ,
C. S. Seet ,
T. Tahmasebi ,
C. Hai ,
H. W. Yang ,
N. Thiyagarajah ,
R. Chao ,
J. W. Ting ,
N. L. Chung ,
T. Ling ,
T. H. Chan ,
S. Y. Siah ,
R. Nair ,
S. Deshpande ,
R. Whig ,
K. Nagel ,
S. Aggarwal ,
M. DeHerrera ,
J. Janesky ,
M. Lin ,
H.J. Chia ,
M. Hossain ,
H. Lu ,
S. Ikegawa ,
F. B. Mancoff ,
G. Shimon ,
J. M. Slaughter ,
J. J. Sun ,
M. Tran ,
S. M. Alam , and
T. Andre , in 2017 Symposium on VLSI Technology (IEEE, 2017), pp. T208–T209.
3. Y. J. Song ,
J. H. Lee ,
H. C. Shin ,
K. H. Lee ,
K. Suh ,
J. R. Kang ,
S. S. Pyo ,
H. T. Jung ,
S. H. Hwang ,
G. H. Koh ,
S. C. Oh ,
S. O. Park ,
J. K. Kim ,
J. C. Park ,
J. Kim ,
K. H. Hwang ,
G. T. Jeong ,
K. P. Lee , and
E. S. Jung , in 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEEE, 2016), pp. 27.2.1–27.2.4.
4. Magnetoresistive Random Access Memory
5. Spin-transfer torque RAM technology: Review and prospect