Electrical properties of nitrogen‐doped GaP

Author:

Stringfellow G. B.,Hall Jr. H. T.,Burmeister R. A.

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

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1. Electrical Properties;Transparent Conductive Zinc Oxide;2008

2. Formation of defects in gallium phosphide grown in the presence of oxygen;Technical Physics;1997-09

3. Models of deep centres in gallium phosphide;Semiconductor Science and Technology;1996-04-01

4. Nature of some electron traps in GaP;Semiconductor Science and Technology;1995-05-01

5. The study of nitrogen doping in ZnSe and ZnSe:Te;Journal of Electronic Materials;1995-03

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