1. Y. J. Lee ,
T. C. Hong ,
F. K. Hsueh ,
P. J. Sung ,
C. Y. Chen ,
S. S. Chuang ,
T. C. Cho ,
S. Noda ,
Y. C. Tsou ,
K. H. Kao ,
C. T. Wu ,
T. Y. Yu ,
Y. L. Jian ,
C. J. Su ,
Y. M. Huang ,
W. H. Huang ,
B. Y. Chen ,
M. C. Chen ,
K. P. Huang ,
J. Y. Li ,
M. J. Chen ,
Y. Li ,
S. Samukawa ,
W. F. Wu ,
G. W. Huang ,
J. M. Shieh ,
T. Y. Tseng ,
T. S. Chao ,
Y. H. Wang , and
W. K. Yeh , in 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (2016), pp. 33.5.1–33.5.4.
2. Y. C. Yeo ,
X. Gong ,
M. J. H. van Dal ,
G. Vellianitis , and
M. Passlack , in 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (2015), pp. 2.4.1–2.4.4.
3. H. Wu ,
W. Luo ,
H. Zhou ,
M. Si ,
J. Zhang , and
P. D. Ye , in 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology) (2015), pp. T58–T59.
4. J. Mitard ,
L. Witters ,
Y. Sasaki ,
H. Arimura ,
A. Schulze ,
R. Loo ,
L. Ragnarsson ,
A. Hikavyy ,
D. Cott ,
T. Chiarella ,
S. Kubicek ,
H. Mertens ,
R. Ritzenthaler ,
C. Vrancken ,
P. Favia ,
H. Bender ,
N. Horiguchi ,
K. Barla ,
D. Mocuta ,
A. Mocuta ,
N. Collaert , and
A. V. Y. Thean , in 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology (2016), pp. 1–2.
5. High-Performance $\hbox{GeO}_{2}/\hbox{Ge}$ nMOSFETs With Source/Drain Junctions Formed by Gas-Phase Doping