Low-temperature selective deposition of silicon on silicon nitride by time-modulated disilane flow and formation of silicon narrow wires
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.1387260
Reference10 articles.
1. Atomic-layer selective deposition of silicon nitride on hydrogen-terminated Si surfaces
2. Manipulation of nucleation sites and periods over amorphous substrates
3. Selective growth condition in disilane gas source silicon molecular beam epitaxy
4. Limiting conditions of Si selective epitaxial growth in Si2H6gas‐source molecular beam epitaxy
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1. Light absorption enhancement in ultrathin film solar cell with embedded dielectric nanowires;Scientific Reports;2020-10-16
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