1/f noise measurements for faster evaluation of electromigration in advanced microelectronics interconnections

Author:

Beyne SofieORCID,Croes Kristof,De Wolf IngridORCID,Tőkei Zsolt

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference45 articles.

1. Effect of low k dielectrics on electromigration reliability for Cu interconnects

2. K. Croes , K. Moon , L. Carbonell , H. Struyf , N. Heylen , Z. Tőkei , and G. Beyer , in Proceedings of the Advanced Metallization Conference (2007), Vol. 2008, pp. 711–715.

3. Technology and reliability constrained future copper interconnects. I. Resistance modeling

4. C.K. Hu , R. Rosenberg , H. Rathore , D. Nguyen , and B. Agarwala , in IEEE International Conference on Interconnect Technology (IEEE, 1999), pp. 267–269.

5. Exploring alternative metals to Cu and W for interconnects: An ab initio insight

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