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Electrically active Er doping in InAs, In0.53Ga0.47As, and GaAs

  • Published:2012-12-03 Issue:23 Volume:101 Page:232103
  • ISSN:0003-6951
  • Container-title:Applied Physics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Appl. Phys. Lett.

Author:

Burke Peter G.,Ismer Lars,Lu Hong,Frantz Elan,Janotti Anderson,Van de Walle Chris G.,Bowers John E.,Gossard Arthur C.

Funder

U.S. Department of Energy

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Review Article: Overview of lanthanide pnictide films and nanoparticles epitaxially incorporated into III-V semiconductors;Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena;2017-05

2. Fractal Lévy Heat Transport in Nanoparticle Embedded Semiconductor Alloys;Nano Letters;2015-02-09
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