Probe pressure dependence of nanoscale capacitance-voltage characteristic for AlGaN/GaN heterostructures
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Publisher
AIP Publishing
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Instrumentation
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http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.3495959
Reference18 articles.
1. 39th European Microwave Conference (EuMC 2009);Piotrowicz S.,2009
2. An X-band four-way combined GaN solid-state power amplifier
3. M.Y. Kao, C. Lee, R. Hajji, P. Saunier, and H.Q. Tserng, IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2009, pp. 627–629.
4. MOCVD-Grown AlGaN Buffer GaN HEMTs With V-Gates for Microwave Power Applications
5. Characterization of nanoscale electronic structure in nonpolar GaN using scanning capacitance microscopy
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1. Shifted Fang–Howard wavefunction for the two-dimensional electron gas and application to MOSFETs;International Journal of Modern Physics B;2014-12-22
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