Electronic transport in heavily doped Ag/n-Si composite films
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.4824854
Reference35 articles.
1. Electric field dependence of quantum efficiencies of Ag/n-Si composites in the infrared at room temperature
2. Metal-mediated crystallization in Si–Ag systems
3. Quantum efficiencies of PtSi∕p-Si composites in the 3–5μm wavelength range
4. Structural and electrical properties of granular metal films
5. Carrier transport in heavily doped polycrystalline silicon layers after annealing by a scanning laser beam
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1. Origin of localization in Ti-doped Si;Physical Review B;2018-11-09
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