Simultaneous measurement of doping concentration and carrier lifetime in silicon using terahertz time-domain transmission
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.4976314
Reference24 articles.
1. F. Granek , C. Reichel , M. Hermle , D. M. Huljić , O. Schultz , and S. W. Glunz , in 22nd European Photovoltaics Solar Energy Conference (2007), p. 1454.
2. High‐efficiencyp+‐n‐n+back‐surface‐field silicon solar cells
3. Determination of the Fermi-level pinning position at Si(111) surfaces
4. Evidence for strong Fermi-level pinning due to metal-induced gap states at metal/germanium interface
5. Interfacial deep levels responsible for schottky barrier formation at semiconductor/metal contacts
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