1. Spin-transfer torque RAM technology: Review and prospect
2. An Overview of Nonvolatile Emerging Memories— Spintronics for Working Memories
3. Opportunities and challenges for spintronics in the microelectronics industry
4. K. Lee ,
J. H. Bak ,
Y. J. Kim ,
C. K. Kim ,
A. Antonyan ,
D. H. Chang ,
S. H. Hwang ,
G. W. Lee ,
N. Y. Ji ,
W. J. Kim ,
J. H. Lee ,
B. J. Bae ,
J. H. Park ,
I. H. Kim ,
B. Y. Seo ,
S. H. Han ,
Y. Ji ,
H. T. Jung ,
S. O. Park ,
O. I. Kwon ,
J. W. Kye ,
Y. D. Kim ,
S. W. Pae ,
Y. J. Song ,
G. T. Jeong ,
K. H. Hwang ,
G. H. Koh ,
H. K. Kang , and
E. S. Jung , in IEEE International Electron Devices Meeting 2019, San Francisco, CA, 7–11 December 2019, pp. 2.2.1–2.2.4.
5. V. B. Naik ,
K. Lee ,
K. Yamane ,
R. Chao ,
J. Kwon ,
N. Thiyagarajah ,
N. L. Chung ,
S. H. Jang ,
B. Behin-Aein ,
J. H. Lim ,
T. Y. Lee ,
W. P. Neo ,
H. Dixit ,
S. K ,
L. C. Goh ,
T. Ling ,
J. Hwang ,
D. Zeng ,
J. W. Ting ,
E. H. Toh ,
L. Zhang ,
R. Low ,
N. Balasankaran ,
L. Y. Zhang ,
K. W. Gan ,
L. Y. Hau ,
J. Mueller ,
B. Pfefferling ,
O. Kallensee ,
S. L. Tan ,
C. S. Seet ,
Y. S. You ,
S. T. Woo ,
E. Quek ,
S. Y. Siah , and
J. Pellerin , in IEEE International Electron Devices Meeting 2019, San Francisco, CA, 7–11 December 2019, pp. 2.3.1–2.3.4.