Optical absorption and oxygen passivation of surface states in III-nitride photonic devices

Author:

Rousseau Ian1ORCID,Callsen Gordon1,Jacopin Gwénolé1ORCID,Carlin Jean-François1,Butté Raphaël1ORCID,Grandjean Nicolas1ORCID

Affiliation:

1. Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland

Funder

Schweizerischer Nationalfonds zur Förderung der Wissenschaftlichen Forschung

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference49 articles.

1. Group III nitride core-shell nano- and microrods for optoelectronic applications

2. GaN nanowire lasers with low lasing thresholds

3. Gallium Nitride Nanowire Nanodevices

4. GaN Transistors for Efficient Power Conversion, edited by A. Lidow , J. Strydom , M. de Rooij , and D. Reusch ( John Wiley & Sons Ltd, Chichester, United Kingdom, 2014), pp. 1–18.

5. Integrated Photonic Circuits in Gallium Nitride and Aluminum Nitride

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