Formation of GaAsP by ion implantation and annealing
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
Physics and Astronomy (miscellaneous)
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.94832
Reference8 articles.
1. Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method
2. Preparation of GaAs[sub x]P[sub 1−x] by Vapor Phase Reaction
3. Conversion of GaAs to GaP by Solid‐State Diffusion
4. Local Mode Absorption of Al and P in GaAs
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1. Laser Raman-Spectroscopy Identification of Ion-Synthesized Ternary Mixed Ga1-xAlxP in Amorphous and Crystalline Phases;Acta Physica Polonica A;2015-06
2. The Polycrystalline‐Si Contact to GaAs;Journal of The Electrochemical Society;1986-06-01
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