Characterization of a n+3C/n−4H SiC heterojunction diode

Author:

Minamisawa R. A.,Mihaila A.,Farkas I.,Teodorescu V. S.ORCID,Afanas'ev V. V.ORCID,Hsu C.-W.ORCID,Janzén E.,Rahimo M.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Reference12 articles.

1. Z. C. Feng , SiC power materials: Devices and Applications ( Springer-Verlag, Berlin, 2010), p. 303.

2. M. Hoshi , T. Hayashi , H. Tanaka , and S. Yamagami , Power Conversion Conference, Nagoya (2007), p. 373.

3. A p-Ge/sub 1-x/C/sub x//n-Si heterojunction diode grown by molecular beam epitaxy

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