High temperature annealing of n-type bulk β-Ga2O3: Electrical compensation and defect analysis—The role of gallium vacancies
Author:
Affiliation:
1. Institut des NanoSciences de Paris, Sorbonne Université 1 , Paris 75005, France
2. School of Integrated circuits, Nanjing University 2 , Suzhou 215163, China
Abstract
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/5.0173581/18183078/165702_1_5.0173581.pdf
Reference26 articles.
1. A review of Ga2O3materials, processing, and devices
2. Electrical properties of p-type Zn:Ga2O3 thin films
3. Deep acceptors and their diffusion in Ga2O3
4. Defect phase diagram for doping of Ga2O3
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