1. F. Masuoka , M. Momodomi , Y. Iwata , and R. Shirota , inIEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)( IEEE, 1987), pp. 552–555.
2. S. H. Lee , inIEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)( IEEE, 2016), pp. 1.1.1–1.1.8.
3. S. K. Park , inIEEE International Memory Workshop (IMW)( IEEE, 2015), pp. 1–4.
4. R. Katsumata , M. Kito , Y. Fukuzumi , M. Kido , H. Tanaka , Y. Komori , M. Ishiduki , J. Matsunami , T. Fujiwara , Y. Nagata , L. Zhang , Y. Iwata , R. Kirisawa , H. Aochi , and A. Nitayama , inSymposium on VLSI Technology( IEEE, 2009), pp. 136–137.
5. J. Jang , H. Kim , W. Cho , H. Cho , J. Kim , S. Shim , Y. Jang , J. Jeong , B. Son , D. Kim , K. Kim , J. Shim , J. Lim , K. Kim , S. Yi , J. Lim , D. Chung , H. Moon , S. Hwang , J. Lee , Y. Son , U. Chung , and W. Lee , inSymposium on VLSI Technology( IEEE, 2009), pp. 192–193.