1. F. Masuoka
,
M. Momodomi
,
Y. Iwata
, and
R. Shirota
, in IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (
IEEE, 1987), pp. 552–555.
2. S. H. Lee
, in IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (
IEEE, 2016), pp. 1.1.1–1.1.8.
3. S. K. Park
, in IEEE International Memory Workshop (IMW) (
IEEE, 2015), pp. 1–4.
4. R. Katsumata
,
M. Kito
,
Y. Fukuzumi
,
M. Kido
,
H. Tanaka
,
Y. Komori
,
M. Ishiduki
,
J. Matsunami
,
T. Fujiwara
,
Y. Nagata
,
L. Zhang
,
Y. Iwata
,
R. Kirisawa
,
H. Aochi
, and
A. Nitayama
, in Symposium on VLSI Technology (
IEEE, 2009), pp. 136–137.
5. J. Jang
,
H. Kim
,
W. Cho
,
H. Cho
,
J. Kim
,
S. Shim
,
Y. Jang
,
J. Jeong
,
B. Son
,
D. Kim
,
K. Kim
,
J. Shim
,
J. Lim
,
K. Kim
,
S. Yi
,
J. Lim
,
D. Chung
,
H. Moon
,
S. Hwang
,
J. Lee
,
Y. Son
,
U. Chung
, and
W. Lee
, in Symposium on VLSI Technology (
IEEE, 2009), pp. 192–193.