Electrical compensation and cation vacancies in Al rich Si-doped AlGaN

Author:

Prozheev I.12ORCID,Mehnke F.34ORCID,Wernicke T.4ORCID,Kneissl M.4ORCID,Tuomisto F.12ORCID

Affiliation:

1. Department of Physics and Helsinki Institute of Physics, University of Helsinki, P.O. Box 43, FI-00014 Helsinki, Finland

2. Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 15100, FI-00076 Espoo, Finland

3. School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, Georgia 30332, USA

4. Institute of Solid State Physics, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, EW 6-1, 10623 Berlin, Germany

Funder

Academy of Finland

Bundesministerium für Bildung und Forschung

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

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