High temperature adduct formation of trimethylgallium and ammonia

Author:

Thon A.,Kuech T. F.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Reference20 articles.

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1. Nucleation mechanism of gas-phase InGaN nanoparticles;Journal of Crystal Growth;2024-03

2. A CFD study of the gas reaction path in growth of InN films in metal–organic chemical vapor deposition;Journal of Crystal Growth;2024-01

3. Gas-Phase reaction mechanism of InN MOVPE: A systematic DFT study;Journal of Crystal Growth;2023-06

4. Experiment Design Philosophy;In‐Situ Transmission Electron Microscopy Experiments;2023-05-12

5. Simulation of Nitride Semiconductor MOVPE;digital Encyclopedia of Applied Physics;2020-12-31

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