First phase to form during cobalt germanidation

Author:

Rabie Mohamed A.,Mirza SouzanORCID,Jarvis Victoria,Haddara Yaser M.ORCID

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference33 articles.

1. Scaling the gate dielectric: Materials, integration, and reliability

2. X. Huang , W.C. Lee , C. Kuo , D. Hisamoto , L. Chang , J. Kedzierski , E. Anderson , H. Takeuchi , Y.K. Choi , and K. Asano , in Proceedings of the Sub 50-nm finfet: Pmos ( IEEE, Washington, 1999), p. 67.

3. (Invited) Past, Present and Future: SiGe and CMOS Transistor Scaling

4. Thin film reaction of transition metals with germanium

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