Spin accumulation created electrically in an n-type germanium channel using Schottky tunnel contacts

Author:

Kasahara K.,Baba Y.,Yamane K.,Ando Y.,Yamada S.,Hoshi Y.,Sawano K.,Miyao M.,Hamaya K.

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference37 articles.

1. D. A. Antoniadis, Proc. Symp. VLSI Technol., 2 (2002).

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4. C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, S. K. Wang, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi, IEDM Tech. Dig., 416 (2010).

5. Fermi-level pinning and charge neutrality level in germanium

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