Fabrication of highly-oriented silicide film on Si substrate treated by low-energy ion beam
Author:
Affiliation:
1. Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University
2. Japan Atomic Energy Agency
Publisher
The Materials Research Society of Japan
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/tmrsj/38/1/38_89/_pdf
Reference15 articles.
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