Silicon–germanium (SiGe) crystal growth using molecular beam epitaxy-Reference-Cited by-同舟云学术

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Silicon–germanium (SiGe) crystal growth using molecular beam epitaxy

Published:2011 Issue: Volume: Page:83-116
ISSN:
Container-title:Silicon–Germanium (SiGe) Nanostructures
language:
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Author:

Sakai A.

Publisher

Elsevier

Link

http://woodhead.metapress.com/index/R15P321763111L5Q.pdf

Reference55 articles.

1. Spontaneous formation of stress domains on crystal surfaces;Alerhand;Phys. Rev. Lett.,1998

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3. Stabilities of single-layer and bilayer steps on Si(001) surfaces;Chadi;Phys. Rev. Lett.,1987

4. Transformation in Metal and Alloys;Christian,1982

5. Dislocation-free Stranski–Krastanow growth of Ge on Si(100);Eaglesham;Phys. Rev. Lett.,1990

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Dopant concentration effects on Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$ crystals for emerging light-source technologies: a molecular dynamics study;The European Physical Journal D;2024-06

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