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High-efficiency 3.4–4.4 μm light-emitting diodes based on a p-AlGaAsSb/n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb heterostructure operating at room temperature

  • Published:2001-03 Issue:3 Volume:27 Page:173-175
  • ISSN:1063-7850
  • Container-title:Technical Physics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Tech. Phys. Lett.

Author:

Zhurtanov B.,Ivanov É. V.,Imenkov A. N.,Kolchanova N. M.,Rozov A. E.,Stoyanov N.,Yakovlev Yu. P.

Publisher

Pleiades Publishing Ltd

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Reference5 articles.

1. N. P. Esina, N. V. Zotova, B. A. Matveev, et al., Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 9(7), 391 (1983) [Sov. Tech. Phys. Lett. 9, 167 (1983)].

2. B. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, et al., IEE Proc.: Optoelectron. 145(5), 254 (1998).

3. A. A. Popov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, et al., Electron. Lett. 33, 86 (1997).

4. A. A. Popov, M. V. Stepanov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 24(15), 34 (1998) [Tech. Phys. Lett. 24, 596 (1998)].

5. A. Krier, H. H. Gao, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, J. Phys. D (2001) (in press).
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