1. D. A. Livshits, A. Yu. Egorov, I. V. Kochnev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35, 380 (2001) [Semiconductors 35, 365 (2001)].
2. P. V. Bulaev, V. A. Kapitonov, A. V. Lyutetskii, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 36, 1144 (2002) [Semiconductors 36, 1065 (2002)].
3. G. V. Skrynnikov, G. G. Zegrya, N. A. Pikhtin, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 37, 243 (2003) [Semiconductors 37, 233 (2003)].
4. E. G. Golikova, V. A. Kureshov, A. Yu. Leshko, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 34, 886 (2000) [Semiconductors 34, 853 (2000)].
5. S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskii, N. A. Pikhtin, et al., Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 29(3), 65 (2003) [Tech. Phys. Lett. 29, 115 (2003)].