1. A. V. Murashova, D. A. Vinokurov, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, V. V. Shamakhov, V. V. Vasil’eva, V. A. Kapitonov, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiĭ, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, I. S. Tarasov, Y. S. Kim, D. H. Kang, and C. Y. Lee, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 882 (2008) [Semiconductors 42, 862 (2008)].
2. V. V. Bezotosnyĭ, V. V. Vasil’eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiĭ, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 357 (2008) [Semiconductors 42, 350 (2008)].
3. T. Nittono, S. Sugitani, and F. Hyuda, J. Appl. Phys. 78, 5387 (1995).
4. K. Uchida, T. Arai, and K. Matsumoto, J. Appl. Phys. 81, 771 (1997).
5. X. B. Zhang, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, G. Walter, and N. Holanyak, Jr., J. Electron. Mater. 35, 705 (2006).