1. R. L. Sellin, Ch. Ribbat, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. B 78, 1207 (2001).
2. L. V. Asryan, Y. Wu, and R. A. Suris, Appl. Phys. Lett. 98, 131108 (2011).
3. A. E. Zhukov, E. M. Arakcheeva, N. Yu. Gordeev, F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maximov, and A. V. Savel’ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 45(7), 996 (2011) [Semiconductors 45 (7), 966 (2011)].
4. M. M. Sobolev, I. M. Gadzhiyev, I. O. Bakshaev, V.S. Mikhrin, V. N. Nevedomskiy, M. S. Buyalo, Yu.M. Zadiranov, and E. L. Portnoy, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 43(4), 512 (2009) [Semiconductors 43 (4), 494 (2009)].
5. A. V. Savel’ev, I. I. Novikov, A. V. Chunareva, N. Yu. Gordeev, M. V. Maximov, A. S. Payusov, E. M. Arakcheeva, V. A. Shchukin, and N. N. Ledentsov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 45(4), 560 (2011) [Semiconductors 45 (4), 550 (2011)].