1. N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, I. G. Tabatadze, and P. S. Kop’ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1484 (1994) [Semiconductors 28, 832 (1994)].
2. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1439 (1994) [Semiconductors 28, 809 (1994)].
3. N. Kirstaedter, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, U. Richter, S. S. Ruvimov, P. Werner, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, Electron. Lett. 30, 1416 (1994).
4. M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul’nikov, Zhen Zhao, A. V. Lunev, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Extended Abstracts of the Annual International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology,” St. Petersburg, 1997, pp. 202–205.
5. J. A. Lott, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 33, 1150 (1997).