1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
2. N. Kirstaedter, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, S. S. Ruvimov, M. V. Maximov, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gossel, and J. Heydenreich, Electron. Lett. 30, 1416 (1994).
3. Zh. I. Alferov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, P. S. Kop’ev, I. V. Kochnev, V. V. Komin, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, M. V. Maksimov, S. S. Ruvimov, A. V. Sakarov, A. F. Tsatsul’nikov, Yu. M. Shernyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 357 (1996) [Semiconductors 30, 200 (1996)].
4. Zh. I. Alferov, N. A. Bert, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, M. V. Maksimov, A. V. Sakarov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul’nikov, Yu. M. Shernyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 351 (1996) [Semiconductors 30, 196 (1996)].
5. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul’nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, P. S. Kop’ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Proc. Material Research Society, Fall Meeting, Boston, USA (1995), paper EE3.6.