1. P. A. Bakhtin, S. A. Dvoretskioe, V. S. Varavin, A. P. Korobkin, N. N. Mikhailov, I. V. Sabinina, and Yu. G. Sidorov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 38, 1207 (2004) [Semiconductors 38, 1172 (2004)].
2. K. D. Mynbaev and V. I. Ivanov-Omskioe, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 40, 3 (2006) [Semiconductors 40, 1 (2006)].
3. Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel’kov, A. P. Kotkov, A. N. Moiseev, and N. D. Grishnova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 38, 1419 (2004) [Semiconductors 38, 1374 (2004)].
4. F. Yue, J. Chu, Z. Wu, Z. Hu, Y. Li, and P. Yang, Appl. Phys. Lett. 92, 121 916 (2008).
5. F. X. Zha, J. Shao, J. Jiang, and W. Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 90, 201 112 (2007).