1. D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, A. V. Lyutetskii, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, M. A. Khomylev, K. S. Borshchev, I. N. Arsent’ev, and I. S. Tarasov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 1003 (2007) [Semiconductors 41, 984 (2007)].
2. D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, A. V. Lyutetskii, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. V. Rozhkov, N. A. Rudova, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, M. A. Khomylev, V. V. Shamakhov, K. S. Borshchev, and I. S. Tarasov, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 32 (16), 47 (2006) [Tech. Phys. Lett. 32, 712 (2006)].
3. D. A. Vinokurov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, N. A. Pikhtin, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 43, 1253 (2009) [Semiconductors 43, 1213 (2009)].
4. J. P. van der Ziel and W. T. Tsang, Appl. Phys. Lett. 41, 499 (1982).
5. J. Ch. Garcia, E. Rosencher, Ph. Collot, N. Laurent, J. L. Guyaux, B. Vunter, and J. Nagle, Appl. Phys. Lett. 71, 3752 (1997).