1. V. A. Pogrebnyak, I. M. Rarenko, D. D. Khalameida, and V. M. Yakovenko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 32, 319 (1998) [Semiconductors 32, 288 (1998)]; Y. S. Gui, G. Z. Zheng, I. H. Chu, et al., J. Appl. Phys. 82, 5000 (1997); T. Thio and S. A. Solin, Appl. Phys. Lett. 72, 3497 (1998); J. Antoszewski and L. Faraone, Proc. SPIE 2552, 146 (1995).
2. E. Finkman and Y. Nemirovsky, J. Appl. Phys. 53, 1052 (1982).
3. D. L. Leslie-Pelesky, D. G. Seiler, M. R. Loloee, and G. L. Littler, Appl. Phys. Lett. 51, 1916 (1987).
4. J. Antoszewski and L. Faraone, J. Appl. Phys. 80, 3881 (1996).
5. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, et al., J. Appl. Phys. 84, 4966 (1998).