1. B. Tillack, D. Knoll, B. Heinemann, K.-E. Ehwald, H. Risker, R. Barth, P. Schley, and W. Winkler. In: STS: SiGe/SOI/Strained Si: From Growth to device Properties. SEMICON: Munich, Germany, 2004.
2. K. W. Ang, K. J. Chui, V. Bliznetsov, C. H. Tung, A. Du, N. Balasubramanian, G. Samudra, M. F. Li, and Y. C. Yeo. Appl. Phys. Lett., 2005, 86, 093102.
3. A. A. Lebedev, A. M. Ivanov, and N. B. Strokan. Fiz. Tekh. Poluprovodn., 2004, 38, 129.
4. W. T. Hsieh, Y. K. Fang, W. J. Lee, C. W. Ho, K. H. Wu, and J. J. Ho. Electron. Lett., 2000, 36, 1869.
5. S. A. Kukuschkin, A. V. Osipov, and N. A. Feoktistov. Fiz. Tverd. Tela, 2014, 56, 1457.