Surface-treatment effects of a sapphire substrate by He[sup +]-, Ar[sup +]-, and Xe[sup +]-ion implantations for GaN epitaxial layers
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Electrical and Electronic Engineering,Atomic and Molecular Physics, and Optics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference10 articles.
1. Candela‐class high‐brightness InGaN/AlGaN double‐heterostructure blue‐light‐emitting diodes
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4. Effects of N+-implanted sapphire (0001) substrate on GaN epilayer
5. Influence of Intentionally Strained Sapphire Substrate on GaN Epilayers
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