24.3: In‐Plane‐Gate Transistors for AMLCD
Author:
Affiliation:
1. Institute of Applied Physics Problems, Kurchatova 7, Minsk, 220064, Belarus
2. Infineon Technologies AG, MH E BE, Postfach 80 17 09, D‐81617 München
3. Institute of Experimental Physics VI, Ruhr‐University, D‐44780 Bochum, Germany
Publisher
Wiley
Link
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1889/1.1832957
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