Arsenic atom location on passivated silicon (111) surfaces

Author:

Patel J. R.,Golovchenko J. A.,Freeland P. E.,Gossmann H- J.

Publisher

American Physical Society (APS)

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1. Insight of surface treatments for CMOS compatibility of InAs nanowires;Nano Research;2018-12-13

2. Mechanism of twin-reduced III-V epitaxy on As-modified vicinal Si(111);Physical Review Materials;2018-12-03

3. Metalorganic vapor phase epitaxy of III–V-on-silicon: Experiment and theory;Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials;2018-12

4. Theoretical study of the formation of a GaAs bilayer on Si(111);Computational Materials Science;2012-09

5. Dynamical Diffraction;Characterization of Materials;2012-05-18

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