Abstract
İletişim sistemleri, radar sistemleri, mikrodalga fırın, bluetooth kulaklık ve daha birçok alan olan RF teknolojileri için mikrodalga güç yükselteçleri gereklidir. Mikrodalga güç yükselteçleri, mikrodalga sistemlerde genellikle verici bölümünde antenin önüne yerleştirilir. Kayıpları azaltmak için giriş ve çıkış uyumlama devreleri kullanılır. Bu çalışmada Cree marka transistor ile tasarım ve simülasyon gerçekleştirilmiştir. Çıkış katındaki ikinci ve üçüncü harmoniklerin simülasyon çıkışını nasıl değiştirdiğini incelemek için iki ayrı devre tasarlanmıştır. Tasarlanan güç yükselteci 2 GHz – 2,5 GHz arasında % 90 güç ekli verim, 10,5 dB kazanç ve 11,3 Watt çıkış gücüne sahiptir. Güç ekli verimliliği için kullanılan transistörün temel avantajı iyi bir ortalama çıkış gücü kazancıyla % 90’dan yüksek verim elde etmektir. Tasarlanan diğer güç yükselteci ise 1,5 GHz - 2,5 GHz arasında % 70 güç ekli verim, 12 dB kazanç ve 16,6 Watt çıkış gücü performansına sahiptir.